炽芯微是面向智能电动汽车和储能及军工市场提供车规级功率半导体定制模块系统方案的高科技公司。聚焦智能电动汽车和清洁能源（储能）市场，定位提供车规级功率半导体定制模块系统方案，致力于成为世界一流的车规级功率半导体定制模块零部件及系统方案商。  

      炽芯微的产品主要为SiC半桥模块，SiC半桥模块是为应对新能源汽车主驱动器以及雷达电源等高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级，可并联多颗SiC芯片，可应对纯电及混动以及军工应用场景下的不同需求挑战。

       功率器件的作用是实现对电能的处理、转换和控制。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。

      虽然SiC等宽禁带半导体比Si基半导体具有较多优势。然而，将基于Si功率器件的传统的封装技术用来对宽禁带半导体功率器件进行封装时，会带来两个较大的问题。一是传统封装技术采用引线键合来实现结构中复杂的内部互联，这会带来较大的寄生电感，在功率半导体器件关断时，较大寄生电感中存储的能*会造成电压尖峰和振荡，并可能增加损耗，随着近年来功率半导体器件开关速度越来越快，封装的寄生电感问题更为突出。因此为了保障功率器件和电力电子系统的性能和安全运行，在功率模块封装设计时需注意减小封装寄生电感。二是传统封装技术的散热方式多为单面散热，因此，散热效率差。而SiC器件可以工作在更高的温度下，因此在散热方面具有更高的要求，若没有高效的散热方式，会影响模块可靠性。炽芯微采用双面散热方案，通过顶部与底部双DBC结构实现双层散热，提高模块的可靠性。